报告题目：碳纳米管薄膜电子器件

报告人：孙东明，研究员，中国科学院金属研究所(东北大学柔性引进)

报告时间：2019年1月10日 8点30分

报告地点：信息学院 224会议室

邀请人：程同蕾教授

报告摘要：

单壁碳纳米管具有优异的力学、电学和光学性质，在电子、信息、能源、国防等领域具有广阔的应用前景。传统硅基芯片电子器件由于采用硬质基底，极大地限制了电子产品的延展性、柔韧性、灵活性，纳米碳基柔性电子器件将促进便携、可穿戴等柔性电子技术与产品的研发。发展高效、宏量制备高质量单壁碳纳米管薄膜及其柔性电子器件的方法，实现电子产品向超轻薄、柔性化、可穿戴、高集成化发展，成为当前功能信息器件的重要发展趋势。报告聚焦于米级尺寸、均匀且厚度可控的单壁碳纳米管薄膜的连续制备，介绍了高性能、柔性单壁碳纳米管透明导电薄膜的方法研究，同时给出了大面积柔性单壁碳纳米管AMOLED显示屏及柔性阵列光电存储记忆芯片系统等方面的最新研究进展。

专家简介：

孙东明，男，1978年12月生，中国科学院金属研究所研究员、纳米碳基电子器件创新课题组组长，国家级青年人才项目入选者，国家优秀青年科学基金获得者。2001年毕业于吉林大学电子材料与元器件专业，2006年获得吉林大学微电子学与固体电子学博士学位，2006-2012年在日本东京工业大学和名古屋大学工作。2012年，在中科院金属所先进炭材料研究工作。主要从事碳纳米管/石墨烯基柔性薄膜晶体管器件、微机电系统/压电超声波马达、印刷电子器件领域的研究。提出了气相过滤转移技术制备柔性碳纳米管薄膜晶体管电路的方法，大幅度提高了碳纳米管晶体管器件的性能，并率先实现了碳纳米管时序逻辑集成电路；提出了全碳薄膜晶体管器件的设计思路，首次制备出可塑全碳晶体管电路。